Fragen zum Bipolartransistor < Elektrotechnik < Ingenieurwiss. < Vorhilfe
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(Frage) beantwortet  | | Datum: | 16:35 Mo 11.04.2011 | | Autor: | steftn |
| Aufgabe | Frage 1:
Warum steigt bei Spannungssteuerung des Bipolartransistors (Ube=const.)
bei kleinen Uce Spannungen der Basisstrom Ib so stark an?
Frage 2:
Warum nimmt bei Stromsteuerung des Bipolartransistors (Ib=const.) bei
kleinen Uce Spannungen die Basis-Emitter-Spannung Ube ab? |
Hallo,
ich habe eine Frage zum Bipolartransistor. Wir hab im
Elektronikpraktikum die Ausgangskennlinie (Ic(Uce)) eines
Bipolartransistors gemessen.
Dazu mussten wir auch 2 Fragen beantworten. Da mir dazu keine Erklärungen einfallen,
wende ich mich an euch, mit der Hoffnung ihr könnt mir helfen.
Ich wäre wirklich sehr dankbar, wenn jemand eine präzise Antwort dazu hat.
gruß
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(Mitteilung) Reaktion unnötig  | | Datum: | 05:40 Di 03.05.2011 | | Autor: | steftn |
Hallo nochmal,
ich wäre weiterhin an einer Beantwortung meiner obigen Frage interessiert. Vielleicht kann mir doch jemand helfen.
Danke.
mfg
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(Antwort) fertig  | | Datum: | 08:56 Di 03.05.2011 | | Autor: | qsxqsx |
Hallo,
Ich frage mich, wie exakt du das prinzip dahinter wissen musst? Die genaue Beschreibung nur schon einer PN-Diode ist sehr kompliziert( Diffusionsstrom, Driftstrom, Rekombinationsrate, Fermieniveaus,etc.)
Frage 1:
Nun das kommt aus dem Exponentiellen Zusammenhang von Strom und Spannung-> I ~ [mm] e^{const*V}. [/mm] Der Zusammenhang lässt sich herleiten aus der Fermi-Dirac bzw vereinfacht Maxwell Boltzmann statistik.
Frage 2 (EDIT: Nochmals entgültig bearbeitet):
Anscheinend nimmt der Basis-Emitter Widerstand ab, wobei es sich natürlich nicht um einen Ohmschen Widerstand handelt...
Die Raumladungszone, wird falls man eine PN-Diode mit Sperrspannung Speist grösser - ein grösseres E-Feld bildet sich an der np bzw. pn Grenze.
Grössere Raumladungszone ---> Weniger Stromfluss.
Wird bei einem npn-Bipolartransistor die K-E-Spannung vergrössert, wird auch die Raumladungszone, gemäss dem Modell der PN-Diode zwischen Basis und Kollektor grösser(!) (obwohl jetzt nicht die Rede von Sperrspannung ist). Eigentlich müsste der Transistor nun weniger Strom durchlassen. Doch ist es nun so, dass der Bipolartransistor asymetrisch dotiert ist (Dotierkonzentrationen: 1. n Gebiet ungefär [mm] 10^{20}*cm^{-3}, [/mm] p Gebiet [mm] 10^{18}*cm^{-3}und [/mm] 2. n Gebiet [mm] 10^{16}*cm^{-3}). [/mm] Wegen des hochen Dichtegradienten ist es nun so, dass trotz der grösseren Raumladungszone mehr Elektronen passieren.
Da ein Bipolartransistor asymetrisch ist, kann man ihn übrigens auch nicht vertauschen, wie man es aufgrund der schematischen npn-Zeichnungen meinen könnte. Vertauscht man Kollektor und Emitter, erhält man zwar im Prinzip auch noch einen Transistor, aber einen wesentlich schlechteren.
Genauer will ich jetzt hier nicht mehr drauf eingehen, man bräuchte Graphiken.
Gruss
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